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Samsung MZ-VAP4T0CW MZ-VAP4T0, 4 TB, M.2, 14800 MB/s
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Samsung MZ-VAP4T0CW MZ-VAP4T0, 4 TB, M.2, 14800 MB/s

Referencia: ID-MZ-VAP4T0CW | EAN13: 8806095811659

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SAMSUNG
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Samsung MZ-VAP4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos
SDD, capacidad4 TB
Factor de forma de disco SSDM.2
InterfazPCI Express 5.0
NVMeSi
Tipo de memoriaV-NAND TLC
Componente paraPC/Consola de videojuegos
Encriptación de hardwareSi
Versión NVMe2.0
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
Tamaño de la unidad SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura14800 MB/s
Velocidad de escritura13400 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)2200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)2600000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Expressx4
Función DevSleepSi
Soporte S.M.A.R.T.Si
Soporte TRIMSi
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Voltaje de operación3,3 V
Consumo eléctrico promedio (lectura)9 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)8,2 W
Ancho80,2 mm
Profundidad8,88 mm
Altura25 mm
Peso30 g
Tipo de embalajeCaja
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento1500 G
Periodo de garantía5 año(s)
Voltaje de operación
3,3 V
Consumo eléctrico promedio (lectura)
9 W
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Consumo eléctrico promedio (escritura)
8,2 W
Periodo de garantía
5 año(s)
Función DevSleep
Si
Golpes en funcionamiento
1500 G
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)
5,7 mW
Tamaño de la unidad SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Consumo de energía (espera)
0,007 W
Consumo de energía (lectura)
9 W
Consumo de energía (escritura)
8,2 W
Lectura aleatoria (4KB)
2200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)
2600000 IOPS
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Versión NVMe
2.0
Carriles datos de interfaz PCI Express
x4
Soporte TRIM
Si
Peso
30 g
Ancho
80,2 mm
Profundidad
8,88 mm
Altura
80,2 mm
Interfaz
PCI Express 5.0
Componente para
PC/Consola de videojuegos
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
SDD, capacidad
4 TB
Factor de forma de disco SSD
M.2
Tipo de memoria
V-NAND TLC
NVMe
Si
Encriptación de hardware
Si
Velocidad de lectura
14800 MB/s
Velocidad de escritura
13400 MB/s
Tipo de embalaje
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