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Samsung MZ-VAP8T0 8 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Referencia: ID-MZ-VAP8T0BW
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EAN13: 8806095811680
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Samsung MZ-VAP8T0. SDD, capacidad: 8 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil
| SDD, capacidad | 8 TB |
| Factor de forma de disco SSD | M.2 |
| Interfaz | PCI Express 5.0 |
| NVMe | Si |
| Tipo de memoria | V-NAND TLC |
| Componente para | PC/ordenador portátil |
| Encriptación de hardware | Si |
| Algoritmos de seguridad soportados | 256-bit AES |
| Velocidad de lectura | 14800 MB/s |
| Velocidad de escritura | 13400 MB/s |
| Lectura aleatoria (4KB) | 2200000 IOPS |
| Escritura aleatoria (4KB) | 2600000 IOPS |
| Carriles datos de interfaz PCI Express | x4 |
| Función DevSleep | Si |
| Soporte S.M.A.R.T. | Si |
| Soporte TRIM | Si |
| Tiempo medio entre fallos | 1500000 h |
| Voltaje de operación | 3,3 V |
| Ancho | 80,2 mm |
| Profundidad | 3,88 mm |
| Altura | 22,1 mm |
| Tipo de embalaje | Caja |
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 °C |
| Golpes en funcionamiento | 1500 G |
| Periodo de garantía | 5 año(s) |
- Interfaz
- PCI Express 5.0
- Componente para
- PC/ordenador portátil
- SDD, capacidad
- 8 TB
- Factor de forma de disco SSD
- M.2
- Tipo de memoria
- V-NAND TLC
- NVMe
- Si
- Encriptación de hardware
- Si
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MZ-VAP8T0BW
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