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Silicon Power UD85 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe 3D NAND
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Goodram CX400 gen.2 512 GB 2.5" Serial ATA III 3D TLC NAND
Referencia: ID-SSDPR-CX400-512-G2
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EAN13: 5908267923450
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Nueva generación de memoria flash en tu SSD nuevo
GOODRAM CX400 gen.2se basa en memorias flash ejecutadas en la tecnología 3D TLC. Esto permite garantizar una mayor estabilidad del trabajo del CX400 gen.2 y la resistencia del disco a la escritura ha mejorado en comparación con las memorias tradicionales planas de generaciones anteriores.
Goodram CX400 gen.2. SDD, capacidad: 512 GB, Factor de forma de disco SSD: 2.5", Velocidad de lectura: 550 MB/s, Velocidad de escritura: 500 MB/s, Velocidad de transferencia de datos: 6 Gbit/s, Componente para: PC
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Goodram CX400 gen.2. SDD, capacidad: 512 GB, Factor de forma de disco SSD: 2.5", Velocidad de lectura: 550 MB/s, Velocidad de escritura: 500 MB/s, Velocidad de transferencia de datos: 6 Gbit/s, Componente para: PC
| SDD, capacidad | 512 GB |
| Factor de forma de disco SSD | 2.5" |
| Interfaz | Serial ATA III |
| NVMe | No |
| Tipo de memoria | 3D TLC NAND |
| Componente para | PC |
| Velocidad de transferencia de datos | 6 Gbit/s |
| Velocidad de lectura | 550 MB/s |
| Velocidad de escritura | 500 MB/s |
| Lectura aleatoria (4KB) | 75500 IOPS |
| Escritura aleatoria (4KB) | 76800 IOPS |
| Tiempo medio entre fallos | 2000000 h |
| calificación TBW | 350 |
| Ancho | 100 mm |
| Profundidad | 7 mm |
| Altura | 69,8 mm |
| Tipo de embalaje | Blister |
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 °C |
| Intervalo de temperatura de almacenaje | -45 - 85 °C |
| Código de Sistema de Armomización (SA) | 84717070 |
- Interfaz
- Serial ATA III
- Componente para
- PC
- SDD, capacidad
- 512 GB
- Factor de forma de disco SSD
- 2.5"
- Tipo de memoria
- 3D TLC NAND
- NVMe
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SSDPR-CX400-512-G2
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